MOSFET N-CH 60V 4A TO251A

Alpha & Omega Semiconductor Inc

包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:4A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:60 毫欧 @ 12A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):540pF @ 30V,功率 - 最大值:2.1W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA,供应商器件封装:*

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